MEMÓRIAS FLASH
(Inovação Tecnologica)
MEMÓRIAS FLASH A Toshiba anunciou o desenvolvimento de um componente básico das memórias Flash com dimensões na casa dos 10 nanômetros. Essa dimensão, até pouco tempo atrás considerada inalcançável com a técnica de litografia, representa quatro gerações à frente das tecnologias atualmente em utilização industrial. CAMADA DE TUNELAMENTO - O componente é conhecido como camada de tunelamento duplo. A camada de tunelamento controla a entrada e a saída dos elétrons em dispositivos com a arquitetura SONOS - Silicon Oxide Nitride Oxide Semiconductor, uma estrutura de memória que mantém os elétrons numa parte específica da célula de memória. A nova estrutura consiste em uma camada de nanocristais de silício com 1,2 nanômetro de espessura, ensanduichada entre dois filmes de óxido com apenas 1 nanômetro de espessura. Segundo a empresa, esta estrutura garante uma retenção dos dados por mais tempo e operações de escrita e apagamento mais rápidas, utilizando a característica natural segunda a qual a resistência do material se altera com a tensão aplicada.
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